ماسفت MOSFET FDD6690A پکیچ TO-252

مشخصات :
شرکت توليد کننده   :        Manufacturer ON Semiconductor
دسته بندي محصول  :       Product Category Transistors
نوع محصول   :                 Product N-Channel Mosfet
روش اتصال   :                 Mounting Style SMD
پکيج   :                          Package TO-252-3
تعداد کانال ها   :              Number of Channels 1
ولتاژ  :                           30 VDS Vds – Drain-Source Breakdown Voltage
جريان پيوسته ي درين :     40 آمپر Id – Continuous Drain Current
ولتاژ :                            VGS Gate to Source Voltage 20
ولتاژ :                            VCEO Collector- Emitter Voltage VCEO Max
ولتاژ :                            VCBO Collector- Base Voltage VCBO
جريان کلکتور  :                Maximum DC Collector Current
حداکثر ولتاژ قابل اعمال :   Supply Voltage – Max
حداقل ولتاژ قابل اعمال :    Supply Voltage – Min
وزن هر واحد  :                Unit weight  یک گرم

توضیحات :

نوع ديگري از ترانزيستورهاي اثر ميدان وجود دارد که ورودي گيت آن‌ها، از نظر الکتريکي نسبت به کانال حامل جريان عايق‌ شده است و به همين دليل، ترانزيستور اثر ميدان با گيت ايزوله‌ شده (Insulated Gate Field Effect Transistor) يا IGDET ناميده مي‌شود. در اين آموزش، با اين نوع ترانزيستور با نام ماسفت آشنا مي‌شويم. متداول‌ترين FET با گيت ايزوله‌ شده که در کاربردهاي مختلفي به کار مي‌رود، ترانزيستور اثر ميداني نيمه‌رساناي اکسيد فلز يا ماسفت (MOSFET) است. IGFET يا MOSFET يک ترانزيستور اثر ميدان کنترل‌ شده با ولتاژ است که با JFET تفاوت دارد و اين تفاوت، يک الکترود گيت «اکسيد فلز» است که از نظر الکتريکي نسبت به نيمه‌هادي اصلي کانال N يا کانال P با يک لايه بسيار نازک از ماده عايق‌ کننده (معمولاً اکسيد سيليکون) جدا شده است.

Description :

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features Low gate charge Fast Switching Speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON)